Número do Produto do Fabricante:
TSM052N06PQ56 RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM052N06PQ56 RLG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventário:
12898700
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TSM052N06PQ56 RLG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3686 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Informação Adicional
Outros nomes
TSM052N06PQ56 RLGCT-DG
TSM052N06PQ56 RLGDKR
TSM052N06PQ56 RLGDKR-DG
TSM052N06PQ56RLGDKR
TSM052N06PQ56RLGCT
TSM052N06PQ56 RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGTR-DG
TSM052N06PQ56RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSC031N06NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6397
NÚMERO DA PEÇA
BSC031N06NS3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.92
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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NÚMERO DA PEÇA
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FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
0.64
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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